Аннотация:
Аналитически исследовано влияние внешнего магнитного
поля $H$ на межзонное многофотонное поглощение в полупроводнике сильной
световой волны с частотой $\omega_{1}$ и амплитудой электрического
поля $F1$ в присутствии другой сильной световой волны с
частотой $\omega_{0}$ и полем $F_{0}$. Обе световые волны считаются
поляризованными перпендикулярно магнитному полю
($F_{0}\parallel F_{1}\perpH$). Получены явные выражения
для мощности поглощаемого излучения $P(\Omega)$ при условии,что расстройка
частот волн ${\Omega =\omega_{1}-\omega_{0}}$ мала по сравнению с
некоторой характерной частотой системы
${\Omega_{R}=e^{2}F_{0}F_{1}/(2\mu\hbar\omega_{0}\omega_{1})\ll
\omega_{0,1}}$ ($\mu$ — приведенная эффективная масса электронов и дырок).