Самостабилизация винтовых волн в полупроводниках

Теоретически исследована частота винтовой неустойчивости на пороге возбуждения в несобственной плазме полупроводника с неоднородным и несимметричным распределением носителей заряда для случая произвольной величины градиента плотности. Дисперсионное соотношение в данных условиях имеет решение с нулевой частотой (Re ${\omega=0}$), что приводит к новым особенностям осциллисторного эффекта вблизи пороговых электрического и магнитного полей — самостабилизации винтовой волны. Получены экспериментальные результаты, подтверждающие выводы теории. Показано, что в результате зондовых исследований распределения носителей заряда в образцах $n$-Ge появляется стационарная винтовая структура плотности плазмы.