Электронно-зондовые исследования деградации непрерывных инжекционных гетеролазеров

Экспериментально с помощью электронно-зондового анализа в режиме тока, индуцированного электронным зондом (ТИЭЗ), исследованы особенности медленной деградации непрерывных инжекцнонных гетеролазеров в системе GaAs$-$Ga$_{1-x}$Al$_{x}$As с оксидной изоляцией полосковой области протекания тока, происходящей со скоростью 0.05$-$0.2 кч$^{-1}$ при комнатной температуре.
Установлено, что в бездислокационных лазерах деградационный процесс начинается с зарождения темных линии $\langle 110\rangle$ вдоль краев полосковой области, а заканчивается образованием темных пятен и линий $\langle 100\rangle$ в пределах полосковой области.
Путем решения диффузионно-дрейфового уравнения для точечных дефектов, учитывающего рекомбинационно-стимулированную генерацию дефектов, показано, что образование темных линий на ТИЭЗ изображениях связано с ускоренной миграцией точечных дефектов в неоднородном поле механических напряжений, вводимом в лазерный кристалл ступеньками в оксидном слое, пространственным разделением межузельных и вакансионных дефектов и их накоплением в областях экстремумов энергии взаимодействия точечных дефектов с упругим полем механических напряжений.