Электронные свойства полупроводников с высокой плотностью дислокаций

Изучены пространственное распределение носителей и нелинейная проводимость в полупроводниках с высокой плотностью дислокаций, когда их заряд в основном обусловлен электронами, активированными на дислокационный уровень из валентной зоны. Показано, что в определенном интервале температур $T$ заряд дислокаций растет линейно с $T$. Именно в этой области температур распределение дырок в объеме полупроводника оказывается существенно неоднородным. Пространственный масштаб неоднородности сравним с расстоянием между дислокациями. Неоднородность распределения приводит к сильно выраженной нелинейности вольтамперной характеристики уже в весьма слабых электрических полях. Те же особенности характерны и для полупроводников $n$-типа, если доноры в результате диффузии собраны в облака Котрелла вблизи дислокаций. В этом случае роль носителей переходит к электронам, активированным с «дислокационных» доноров. Выяснена роль экранирования дислокаций собственными носителями полупроводника.