Дрейфовая неустойчивость, вызываемая перезарядкой центров на поверхности монополярного полупроводника

Теоретически исследуются условия возбуждения и распространения бегущей волны перезарядки центров захвата, расположенных на границе раздела диэлектрик$-$монополярный полупроводник. Показано, что волна может возбуждаться при условии дрейфа носителей тока в полупроводнике (начиная с некоторой пороговой величины тянущего электрического поля), а также при условии, что время захвата свободного носителя центром мало по сравнению с временем выброса.
Возникающая волна распространяется вдоль границы раздела со скоростью, значительно меньшей скорости дрейфа носителей. Частота колебаний также мала по сравнению с обратными временами захвата электрона на центр $\tau_{k}^{-1}$ и максвелловской релаксации $\tau_{M}^{-1}$. Волна затухает в обе стороны от границы. В глубь полупроводника она проникает благодаря диффузии, что приводит к дополнительным потерям, которые могут стать основными при исходном обогащающем изгибе зон у поверхности полупроводника. Напротив, обедняющие изгибы зон способствуют возбуждению неустойчивости.