Фотолюминесценция эпитаксиальных слоев GaAs : In, полученных хлоридным методом

Нелегированные и легированные индием слои арсенида галлия (${[\text{In}]\lesssim2\cdot10^{19}\,\text{см}^{-3}}$), полученные хлоридным методом, исследовались с помощью измерений низкотемпературной фотолюминесценции.
Установлено, что в ходе изовалентного легирования наблюдаются существенные изменения концентрации мелких примесей и степени компенсации эпитаксиальных слоев, хотя смены типа основной акцепторной примеси не происходит. Полученные данные анализируются с учетом результатов предшествующих исследований GaAs : In.