Изменение поверхностного потенциала полупроводника при освещении

На основе новой модели теоретически найдено изменение потенциала поверхности полупроводника светом, вызывающим межзонные переходы. Модель состоит в том, что вводятся две подсистемы основных носителей заряда, которые характеризуются различными квазиуровнями Ферми. Для массивного полупроводника $n$-типа это будут электроны массива и электроны поверхностных состояний. Согласно модели, изменение потенциала поверхности при освещении равно разности квазиуровней Ферми этих подсистем. Квазиуровень Ферми фотодырок не совпадает, вообще говоря, ни с одним из упомянутых выше, за исключением поверхности, где он совпадает с квазиуровнем Ферми поверхностных электронов. Формула, полученная для фотоизменения поверхностного потенциала, вполне аналогична выражению для фотоэдс структуры металл$-$полупроводник, однако входящий в нее феноменологический параметр — скорость поверхностной рекомбинации — имеет другой физический смысл и другое численное значение.
Рассмотрена также задача о фотоизменении распределения потенциала в тонком $n$-слое -поверхностно-барьерной $n{-}p$-структуры. В этой задаче принимаются в расчет три электронные подсистемы с различными квазиуровнями Ферми.