Корреляция в поведении кислородных термодоноров и комплексов, ответственных за поглощение при 890 см$^{-1}$, в Si, облученном в реакторе при разных температурах

Приведены результаты исследования спектров ИК поглощения и электрофизических параметров в процессе изохронного (20 мин) отжига кристаллов Si, выращенных методом Чохральского ${([\text{O}_{i}]=1.5\cdot10^{18}\,\text{см}^{-3}}$, ${[\text{C}_{s}]=2\cdot10^{17}\,\text{см}^{-3}}$), облученных в реакторе при температурах ${T_{1}=100{-}135}$ и ${T_{2}=500{-}570}$ K. Обнаружена корреляция между изменениями электронной проводимости, обусловленной кислородными термодонорами, и интенсивности полосы при 890 см$^{-1}$, после отжига при $450^{\circ}$C одновременно достигающих максимума, значительно более высокого в Si, облученном при $T_{2}$. Предполагается, что комплексом, ответственным за поглощение при 890 см$^{-1}$, является метастабильный кластер Si$_{3}$O$_{2}$. Содержание кислород-углеродных комплексов, ответственных за поглощение при 920, 970, 1015 и 1060 см$^{-1}$, в Si, облученном при $T_{2}$, сохраняется более высоким, чем в кристаллах, облученных при $T_{1}$, на протяжении всего процесса термоотжпга в исследованном методом ИК спектрометрии интервале температур $300{-}550^{\circ}$C.