Электрофизические свойства антимонида индия $n$-типа, облученного быстрыми электронами

Исследованы температурные зависимости удельного сопротивления $\rho$ и коэффициента Холла $R_{X}$ (${4.2\leqslant T\leqslant300}$ K) нелегированных монокристаллических образцов $n$-InSb с концентрациями электронов ${n=(3\div 5)\cdot10^{14}\,\text{см}^{-3}}$, облученных быстрыми электронами (${E=4\div 8}$ МэВ, ${\Phi\leqslant1.5\cdot10^{17}\,\text{см}^{-2}}$, ${T_{\text{обл}}\simeq300}$ K).
Отмечены уменьшение концентрации электронов при облучении и $n{-}p$-конверсия при потоке облучения ${\Phi=6.2\cdot10^{6}\,\text{см}^{-2}}$. На зависимостях $\rho(T)$, $R_{X}(T)$ при ${\Phi\geqslant5\cdot10^{16}\,\text{см}^{-2}}$ обнаружены активационные участки, соответствующие появлению локального уровня с энергией ${E_{c}-0.06}$ эВ, связанного, по-видимому, с комплексами атомов кислорода с междоузельными атомами индия. Полученные в работе результаты объясняются преимущественным введением при облучении $n$-InSb дефектов акцепторного характера (простейшие дефекты в подрешетке индия и их комплексы с атомами кислорода).