RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1990
, том 24,
выпуск 12,
страницы
2217–2219
(Mi phts4131)
Краткие сообщения
Двойное легирование эпитаксиального GaAs изовалентной примесью — висмутом и акцепторной примесью — цинком
Ю. Ф. Бирюлин
,
В. В. Воробьева
,
С. В. Новиков
, Д. Н. Шелковников
Полный текст:
PDF файл (461 kB)
©
МИАН
, 2024