RUS
ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ
// Физика и техника полупроводников
// Архив
Физика и техника полупроводников,
1990
, том 24,
выпуск 12,
страницы
2219–2222
(Mi phts4132)
Краткие сообщения
Особенности электрофизических свойств GaAsSb, легированного амфотерной примесь — германием
Ю. Ф. Бирюлин
,
В. Н. Каряев
, А. М. Крещук
, В. А. Писаревская
Полный текст:
PDF файл (611 kB)
©
МИАН
, 2024