RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1990, том 24, выпуск 12, страницы 2219–2222 (Mi phts4132)

Краткие сообщения

Особенности электрофизических свойств GaAsSb, легированного амфотерной примесь — германием

Ю. Ф. Бирюлин, В. Н. Каряев, А. М. Крещук, В. А. Писаревская




© МИАН, 2024