Н. С. Аверкиев, Р. Н. Кютт, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, Е. И. Чайкина, “Поляризация фотолюминесценции с поверхности гетероструктуры A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ с профилированной подложкой”, Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 1,страницы 12

Поляризация фотолюминесценции с поверхности гетероструктуры A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ с профилированной подложкой

Н. С. Аверкиев, Р. Н. Кютт, Б. А. Матвеев, Н. М. Стусь, Г. Н. Талалакин, Е. И. Чайкина

Аннотация: На основе представлений о квазиодноосном характере деформации в гетероструктуре с подложкой, профилированной в виде швеллера, экспериментально и теоретически изучено распределение деформации в неизопериодных гетероструктурах InGaSbAs/GaSb и InGaSbP/InAs. Получено соответствие величин остаточных деформаций, определенных из измерений поляризации фотолюминесценции и брэгговского асимметричного отражения.