Двумерные ганновские домены в структурах с полевым электродом

Рассмотрены образование и движение двумерных ганновских доменов в структурах, включающих в себя легированный слой на нелегированной подложке и три электрода — исток, сток и управляющий полевой электрод (затвор типа барьера Шоттки). Использовано диффузионно-дрейфовое приближение. В этих структурах образуются статические домены на истоке, стоке, а также под затвором (со стороны стока) и существуют режимы с движением доменов, которые зарождаются под затвором и уходят в контакт стока или исчезают в пространстве затвор-сток, не доходя до последнего; существуют и режимы с пульсацией поля и концентрации электронов в домене, локализованном около затвора. Реализация режимов зависит от геометрии структуры и потенциалов электродов, а также от выбора полевой зависимости дрейфовой скорости $v(E)$ и продольного коэффициента диффузии $D(E)$. Влияние последнего оказалось неожиданно большим, причем высокие пиковые значения $D(E)$, вообще говоря, приводят к статическим режимам с локализацией доменов. Параллельно решалась одномерная задача в одномерно неоднородном образце, где неоднородность легирования имитировала эффект затвора.