Некоторые особенности диффузии и дрейфа неравновесных носителей в CdCr$_{2}$Se$_{4}$

Исследована роль центров прилипания электронов в формировании низкотемпературных особенностей магнитного полупроводника CdCr$_{2}$Se$_{4}$. Показано существенное влияние состояния поверхности на диффузию фотоносителей, возбужденных в приповерхностной области, в объем кристалла и на возникновение долговременной релаксации их.