RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 1, страницы 45–49 (Mi phts4144)

Влияние параметров электронного облучения на сечение образования собственных дефектов в кремнии

В. В. Емцев, П. М. Клингер, Т. В. Машовец


Аннотация: Исследовано влияние энергии и интенсивности облучения n-кремния быстрыми электронами на эффективность введения первичных собственных дефектов — пар Френкеля и их компонентов: вакансий и межузельных атомов, а также дивакансий. Скорость образования дивакансий зависит от энергии бомбардирующих электронов в интервале $3\div7$ МэВ и не зависит от интенсивности облучения, что свидетельствует о доминирующей роли процесса первичной генерации дивакансий. Эффективный «выход» первичных радиационных дефектов (доля разделившихся пар Френкеля) не увеличивается с ростом энергии бомбардирующих электронов от 1 до 7 МэВ. Это означает, что радиус аннигиляции пары Френкеля существенно превышает среднее расстояние между ее компонентами.



© МИАН, 2024