Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, М. А. Рещиков, В. Е. Седов, В. Р. Сосновский, “Оптическая анизотропия центра, вызывающего полосу фотолюминесценции с максимумом вблизи 1.18 эВ в GaAs : Te. I. Поляризованная фотолюминесценция”, Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 1,страницы 50

Оптическая анизотропия центра, вызывающего полосу фотолюминесценции с максимумом вблизи 1.18 эВ в GaAs : Te. I. Поляризованная фотолюминесценция

Н. С. Аверкиев, А. А. Гуткин, Е. Б. Осипов, М. А. Рещиков, В. Е. Седов, В. Р. Сосновский

Аннотация: При температурах 4.2 и 77 К измерены спектры возбуждения и поляризационные диаграммы примесной фотолюминесценции $n$-GaAs : Te в широкой полосе с максимумом при энергии фотонов 1.18 эВ. Обнаружено существование двух возбужденных состояний примесного центра, вызывающего фотолюминесценцию. Показано, что результаты эксперимента объясняются в предположении о моноклинной симметрии этого центра. Равновесные моноклинные искажения центра при поглощении и излучении различны (двухдипольное приближение) из-за релаксации решетки. Оценены величины возможных расщеплений возбужденных состояний в этих равновесных конфигурациях.