И. А. Баранов, П. В. Кучинский, В. М. Ломако, А. П. Петрунин, С. О. Целелевич, Л. Н. Шахлевич, “Дефектообразование в кремнии, облученном частицами с массой ${\sim100}$ а.е.м. и энергией до 100 МэВ. II. Изменение рекомбинационных свойств”, Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 1,страницы 73

Дефектообразование в кремнии, облученном частицами с массой ${\sim100}$ а.е.м. и энергией до 100 МэВ. II. Изменение рекомбинационных свойств

И. А. Баранов, П. В. Кучинский, В. М. Ломако, А. П. Петрунин, С. О. Целелевич, Л. Н. Шахлевич

Аннотация: Изучено влияние дефектов, вводимых облучением осколками деления $^{252}$Cf в кремнии с уровнем легирования $10^{14}\div10^{18}$ см$^{-3}$, на рекомбинацию неосновных носителей заряда. Показано, что изменение времени жизни носителей при облучении определяется в основном введением областей скоплений дефектов. С использованием параметров для областей скоплений дефектов, полученных из данных емкостной спектроскопии, описана зависимость поведения коэффициента радиационного изменения времени жизни неосновных носителей заряда от уровня легирования.