Определение концентрации глубоких уровней в объеме полупроводника из измерений нестационарной емкостной спектроскопии при постоянной емкости

Рассмотрено влияние области неполной ионизации глубоких уровней (ГУ) вблизи границы слоя объемного заряда на сложные спектры нестационарной емкостной спектроскопии в режиме постоянной емкости. Предложены методы учета области неполной ионизации при определении концентрации ГУ из экспериментальных спектров.