Физика и техника полупроводников,
1991, том 25, выпуск 1,страницы 99–101(Mi phts4153)
Оптическое отражение и определение характеристик эпитаксиальных
структур InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$/InAs
А. Н. Баранов, В. А. Васильев, А. А. Копылов, В. В,Шерстнев
Аннотация:
Исследовано оптическое отражение эпитаксиальных
слоев твердого раствора InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$,
полученных методом жидкофазной эпитаксии на подложках $n$-InAs.
Исследовались нелегированные слои
\hbox{$n$-типа} проводимости, слои $n$-типа, легированные Sn,
и $p$-типа,
легированные Zn. Состав твердого раствора варьировался в пределах
$x=0.1{-}0.12$, $y=0.2{-0.25}$.
Измерения проводились при комнатной температуре в диапазоне
$10{-}650$ см$^{-1}$ с использованием фурье-спектрометра
ЛФС-1000. Для расчета спектров отражения использовался
матричный формализм. Градиентные слои рассматривались
в приближении гиперболического распределения показателя
преломления
$n(z)=n_{1}n_{2}/[n_{1}-(n_{1}-n_{2})z/h]$. Показано, что учет
градиентных слоев позволяет улучшить количественное согласие
между теорией и экспериментом.