RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 1, страницы 99–101 (Mi phts4153)

Оптическое отражение и определение характеристик эпитаксиальных структур InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$/InAs

А. Н. Баранов, В. А. Васильев, А. А. Копылов, В. В,Шерстнев


Аннотация: Исследовано оптическое отражение эпитаксиальных слоев твердого раствора InAs$_{1-x-y}$Sb$_{x}$P$_{y}$, полученных методом жидкофазной эпитаксии на подложках $n$-InAs. Исследовались нелегированные слои \hbox{$n$-типа} проводимости, слои $n$-типа, легированные Sn, и $p$-типа, легированные Zn. Состав твердого раствора варьировался в пределах $x=0.1{-}0.12$, $y=0.2{-0.25}$. Измерения проводились при комнатной температуре в диапазоне $10{-}650$ см$^{-1}$ с использованием фурье-спектрометра ЛФС-1000. Для расчета спектров отражения использовался матричный формализм. Градиентные слои рассматривались в приближении гиперболического распределения показателя преломления $n(z)=n_{1}n_{2}/[n_{1}-(n_{1}-n_{2})z/h]$. Показано, что учет градиентных слоев позволяет улучшить количественное согласие между теорией и экспериментом.



© МИАН, 2024