ЭПР акцепторных центров, образующихся в процессе длительных отжигов кремния при 550$^{\circ}$C

Показано, что в процессе длительных отжигов (более 200 ч) в области $T=550^{\circ}$C в кристаллах кремния, выращенных по методу Чохральского, наряду с различными термодонорами также образуются центры акцепторного типа (так называемые центры Si${-}5K$). Установлено, что центры Si${-}5K$ имеют симметрию $C_{s}$, $g$-факторы: $g_{1}= 1.9989$, $g_{2}=1.9939$, $g_{3}= 2.0017$ и проявляют свойства электродипольного резонанса. При увеличении температуры отжига до $T=650^{\circ}$C в таких кристаллах образуется целый набор акцепторных центров (Si${-}NK$), которые по своим характеристикам подобны центрам Si${-}5K$. Сделан вывод о том, что центры Si${-}5K$, как и центры Si${-}NK$, имеют прямую связь с дислокационными диполями, которые образуются при таких отжигах в кристаллах кремния, выращенных по методу Чохральского, вследствие преципитации примеси кислорода.