RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 1, страницы 156–159 (Mi phts4166)

Исследование электрофизических параметров ОПЗ узкощелевых полупроводников Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te методом эффекта поля в электролите

А. Д. Перепелкин, А. М. Яфясов, В. Б. Божевольнов


Аннотация: Приведены результаты экспериментального исследования электрофизических параметров поверхности и приповерхностного объема полупроводниковых твердых растворов Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te в широком диапазоне составов при комнатной температуре методом эффекта поля в электролите. Для области пространственного заряда (ОПЗ) Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te экспериментально определены законы дисперсии и эффективные массы плотностей состояний разрешенных зон, а также зависимости дифференциальной плотности электронных состояний от энергии в зоне проводимости.



© МИАН, 2024