Релаксация фотопроводимости и шум $1/f$ в GaAs, подвергнутом деструктивному сжатию

Исследована кинетика релаксации долговременной фотопроводимости в эпитаксиальных слоях GaAs, подвергнутых деструктивному сжатию. Обнаружена прямая корреляция между уровнем шума $1/f$ и амплитудой фотопроводимости.
При 300 К как уровень $1/f$ шума, так и амплитуда долговременной фотопроводимости монотонно возрастают по мере увеличения степени деструкции. Увеличение амплитуды фотопроводимости и появление в кинетике спада фототока по мере увеличения деструкции все больших и больших времен релаксации не связаны при 300 К с формированием потенциального рельефа, также возникающего в процессе деструкции.
При 77 К как уровень шума $1/f$, так и амплитуда компоненты долговременной фотопроводимости, не связанной с барьерным механизмом, не зависят от уровня деструкции.