Поперечная диффузия серебра в пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников

Исследована поперечная диффузия серебра в пленках халькогенидных стеклообразных полупроводников (ХСП). Показано, что поперечная диффузия протекает много быстрее, если пленка ХСП нанесена на проводящий слой золота или никеля, и медленнее, если пленка нанесена на слой алюминия или непосредственно на подложку из оксидного стекла. Скорость поперечной диффузии в пленках, нанесенных на слой золота, увеличивается при уменьшении толщины пленки. Влияние подложки проявляется сильнее при термической диффузии, чем при фотодиффузии. В пленках, модифицированных висмутом и никелем, установлена корреляция между скоростью диффузии и проводимостью, а также наблюдалось сильное влияние внешнего электрического поля на скорость диффузии. Предложена микроскопическая модель процесса диффузии серебра в ХСП, основанная на рассмотрении границы легированный ХСП/нелегированный ХСП как полупроводникового гетероперехода.