Контроль качества интерфейса методом лазерного сканирования при прямом сращивании кремниевых пластин

С помощью лазерного сканирующего микроскопа проведено исследование интерфейса полупроводниковых структур, сформированных методом прямого сращивания зеркально полированных кремниевых пластин. Показано, что измерение величины оптического пропускания структур при зондировании светом с ${\lambda=1.15}$ мкм обеспечивает неразрушающий контроль однородности сращивания и выявление дефектных областей интерфейса. Наличие потенциального барьера на интерфейсе структур может быть выявлено путем регистрации наведенной фотоэдс в режиме сканирования границы сращивания светом с ${\lambda=0.63}$ мкм.
Использование лазерного сканирующего микроскопа для контроля качества структур и корректировки технологического процесса прямого сращивания кремния (ПСК) позволило изготовить методом ПСК высоковольтные $p^{+}{-}n{-}n^{+}$-структуры, характеристики которых не отличались от характеристик контрольных структур, изготовленных традиционными технологическими методами.