Электрические и фотоэлектрические свойства гетеропереходов сульфид$-$теллурид кадмия

На основе сильно рассогласованных полупроводников сульфида и теллурида кадмия методом твердофазных реакций замещения получен ряд гетеропереходов с низкой плотностью поверхностных состояний ${N_{s}\simeq3\cdot10^{11}\,\text{см}^{-2}}$. Установлено, что у диодов с шириной барьера ${d_{0}=0.3\div0.5}$ прямой ток при низких смещениях обусловлен туннелированием термически возбужденных электронов, а у образцов с ${d_{0}=0.5\div1.0}$ мкм — рекомбинацией носителей в области пространственного заряда. При больших прямых смещениях ток носит термоэмиссионный характер. Обратный ток таких структур имеет туннельную природу. У образцов с ${d_{0}\gtrsim1}$ мкм ВАХ определяется токами, ограниченными пространственным зарядом. Структуры обладают эффективностью фотопреобразования ${0.7\div0.8}$ эл/кв в спектральной области ${1.3\div2.3}$ эВ. Обсуждаются вопросы практического применения исследуемых гетеропереходов.