Особенности емкостной спектроскопии глубоких центров в диодах Шоттки

На примере технологического и радиационного дефектов EL2 и E5 в арсениде галлия показано, что при использовании метода нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней высота барьера Шоттки $\varphi_{B}$ существенно влияет на определение величины энергии активации термоэмиссии электронов и концентрации глубоких центров. Показано, что истинные значения концентрации дефектов и положение их энергетического уровня $E_{t}$ могут быть получены лишь при условии, что ${\varphi_{B}>E_{t}}$.