Влияние гофрировки энергетического спектра на размерное квантование в полупроводниках с вырожденной валентной зоной

Аналитически исследовано влияние гофрировки валентной зоны на спектр подзон размерного квантования пленок бесщелевых полупроводников и полупроводников с вырожденной валентной зоной. Показано, что экстремумы подзон размерного квантования тяжелых дырок могут быть смещены из точки ${k=0}$. Кроме того, при больших значениях импульса происходят осцилляции расстояний между ближайшими подзонами тяжелых дырок разной четности, а их средняя масса определяется положением экстремумов объемного спектра тяжелых дырок при фиксированном значении импульса движения вдоль пленки.