Дефектообразование в $n$-InP при повышенных температурах облучения

Методом емкостной спектроскопии исследовано влияние температуры облучения в интервале 25$-$250$^{\circ}$C на эффективность образования электронных ловушек в InP с ${n_{0}\approx10^{15}\,\text{см}^{-3}}$. Показано, что при повышении температуры облучения скорость введения большинства глубоких уровней, а также скорость удаления носителей заряда уменьшаются, что объясняется отжигом дефектов, протекающим одновременно с облучением. Вместе с тем при ${T_{\text{обл}}\geqslant200^{\circ}}$C наблюдались быстрый рост эффективности образования донорного центра E5 (${E_{a}=0.60}$ эВ), обусловленный изменением зарядового состояния одного из первичных дефектов решетки InP, а также образование нового центра ET1 (${E_{a}=0.16}$ эВ).