Электрические и фотоэлектрические свойства узкозонных твердых растворов GaInSbAs : Mn

Исследованы электрические свойства (электропроводность, коэффициент Холла и подвижность) и фотоэлектрические свойства как нелегированных, так и легированных марганцем узкозонных твердых растворов Ga$_{1-x}$In$_{x}$Sb$_{1-y}$As$_{y}$ (${0.76<x<1}$).
Обнаружен уровень ${E_{D}=E_{c}-(0.09{-}0.1}$) эВ, который отождествляется со структурным дефектом. Легирование марганцем приводит к возникновению мелкого водородоподобного акцепторного центра с энергией активации ${E_{A}\approx0.025}$ эВ и позволяет перекомпенсировать исходный материал и получить слои $p$-типа с концентрацией дырок ${p=10^{16}{-}10^{19}\,\text{см}^{-3}}$. Определен коэффициент сегрегации марганца ${k_{\text{Mn}}=0.06{-}0.08}$.
В твердых растворах, изопериодных к GaSb и InAs, экспериментально определены значения ширины запрещенной зоны. Установлено, что $E_{g}$ практически не зависит от состава твердого раствора в интервале значений ${0.76<x<1}$.