Поведение примесей в твердых растворах $p$-GaInSbAs

Исследовались температурные зависимости коэффициента Холла, электропроводности и подвижности в твердых растворах Ga$_{1-x}$In$_{x}$Sb$_{1-y}$As$_{y}$ (${x\simeq 0.1}$), легированных примесями Ge, Cd, Zn и Te. Показано, что среди акцепторных примесей только Ge позволяет получить материал $p$-типа с высокой концентрацией дырок (${p\gtrsim10^{19}\,\text{см}^{-3}}$). Примеси Gd и Zn можно использовать только при низком уровне легирования (меньше чем ${5\cdot10^{-5}}$ мол%), так как при дальнейшем легировании они плохо растворяются. При легировании Te происходит перекомпенсация (при ${5\cdot10^{-5}}$ мол% Te в расплаве), имеется возможность получения материала $n$-типа в широком интервале концентраций (${n\lesssim10^{18}\,\text{см}^{-3}}$) с малой степенью компенсации (${K<0.1}$).