О природе точечных дефектов в GaAs, возникающих при импульсном лазерном облученииB

Методами Холла и нестационарной $C{-}T$-метрии установлено, что лазерное облучение (ЛО) эпитаксиальных монокристаллических слоев GaAs, легированных Cd и S, приводит к резкому уменьшению проводимости в тонком приповерхностном слое.
По данным просвечивающей электронной микроскопии (ПЭМ), дефекты после ЛО в тонком слое поверхности материала отсутствуют.
Сделан вывод о причине деградации свойств GaAs при ЛО, связанной с точечными дефектами атомов As в междоузлии.