Некоторые эффекты, влияющие на профиль распределения внедренных ионов в кристаллических мишенях полупроводниковых соединений A$^{\text{III}}$B$^{\text{V}}$ после ионной имплантации

Методом вторично-ионной масс-спектрометрии исследованы распределения имплантированных в монокристаллические подложки фосфидов индия и галлия ионов селена и бериллия. Проведено сравнение экспериментальных распределений с теоретически рассчитанными, проанализированы различия. Показана роль монокристалличности мишеней в формировании распределений, получены дозовая и энергетическая зависимости моментов распределений и характеристической длины экспоненциального спада профилей на больших глубинах. Описан и обоснован механизм формирования распределения имплантированных частиц на больших глубинах.