Исследование в сканирующем туннельном микроскопе поверхности арсенида галлия, пассивированной в водном растворе Na$_{2}$S

Исследования в туннельном микроскопе показали, что при пассивации в водном растворе Na$_{2}$S с поверхности арсенида галлия удаляется толстая окисная пленка, а образующийся пассивирующий слой является туннельно прозрачным. Как следовало из полученных вольт-амперных характеристик, при пассивации существенно уменьшается плотность поверхностных состояний в середине запрещенной зоны.