Моделирование процесса накопления объемного заряда в диэлектриках МДП структур при облучении

Рассмотрены процессы накопления объемного заряда в МНОП структурах с двуслойным диэлектриком. Показано, что немонотонная зависимость напряжения плоских зон $\Delta V_{FB}$ от внешнего напряжения $V_{G}$ при облучении обусловлена конкуренцией трех механизмов образования радиационно-индуцированного заряда: накопления дырочного заряда в слое двуокиси кремния, полевого разделения носителей в нитриде кремния и инжекции носителей из полупроводникового электрода. Показано, при каких параметрах модели наблюдается совпадение расчета и эксперимента.