А. А. Андаспаева, А. Н. Баранов, Б. Л. Гельмонт, Б. Е. Джуртанов, Г. Г. Зегря, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, С. Г. Ястребов, “Исследование температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе GaInAsSb”, Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 3,страницы 394

Исследование температурной зависимости пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе GaInAsSb

А. А. Андаспаева, А. Н. Баранов, Б. Л. Гельмонт, Б. Е. Джуртанов, Г. Г. Зегря, А. Н. Именков, Ю. П. Яковлев, С. Г. Ястребов

Аннотация: Рассчитана и экспериментально изучена температурная зависимость пороговой плотности тока ДГС лазеров на основе твердого раствора GaInAsSb. Показано, что в интервале температур ${77\div310}$ K кривая зависимости пороговой плотности тока от температуры состоит из трех участков, соответствующих трем механизмам рекомбинации неравновесных носителей заряда в активной области. В интервале температур ${77\div200}$ K ${J_{th}\sim T^{3/2}}$ и определяется скоростью излучательной рекомбинации. При высоких температурах (${200\div300}$ K) ${J_{th}\sim T^{3/2}}$ и определяется скоростью оже-рекомбинации (CHHS-процесс). При температурах выше комнатной пороговый ток растет с температурой по экспоненциальному закону благодаря оже-процессу СНСС.