Аннотация:
Исследовано влияние ультразвука на электрические,
фотоэлектрические и люминесцентные свойства кристаллов Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$Te. Показано, что действие УЗ на электрические и фотоэлектрические
характеристики кристаллов Zn$_{x}$Cd$_{1-x}$Te обусловлено двумя процессами:
1) увеличением плотности дислокаций с последующим отеканием на них подвижных
акцепторов, определяющих проводимость; 2) отходом этих акцепторов
от дислокации в объем кристалла. Первый процесс доминирует в образцах
с малой плотностью дислокаций (${<10^{5}}$ см$^{-2}$) и приводит
к уменьшению проводимости $\sigma_{\text{т}}$, интенсивности люминесценции $W$
и величины фототока $I_{\text{ф}}$. Второй процесс доминирует в образцах
с большой величиной $\gamma$ (${>10^{6}}$ см$^{-2}$) и приводит
к росту $\sigma_{\text{т}}$, $I_{\text{ф}}$ и $W$.