Термоэлектронный обратный ток в GaAs поверхностно-барьерной структуре

Объектом изучения служили поверхностно-барьерные структуры Ni$-n$-GaAs (${n=(1\div2)\cdot10^{15}}$ см$^{-3}$ при 300 K), изготовленные методом химического осаждения металла на поверхность полупроводника.
Показано, что механизмом обратного тока при низких напряжениях (${1\div10}$ В) и. повышенных температурах (${450\div550}$ K) является термоэлектронная эмиссия (ток соответствует теории Бете при учете сил изображения).
Величина постоянной Ричардсона, найденная из температурной зависимости обратного тока (${(8.2\pm1.0)}$ А/см$^{2}\cdot\,\text{град}^{2}$), совпадает с величиной, определенной из температурной зависимости прямого тока, и с величиной, теоретически ожидаемой для GaAs. Значение высоты потенциального барьера, найденное из температурной зависимости обратного тока (0.96 В при 0 K), совпадает со значениями, определенными из температурных зависимостей прямого тока и барьерной емкости.