Влияние температуры облучения и электрического поля на образование и стабильность вакансионных дефектов в $p$-Si

Исследовано влияние сильного электрического поля (${E>10^{3}}$ В/см) и температуры на эффективность образования и стабильность дефектов в $p$-Si при облучении $\alpha$-частицами. Показано, что процессы радиационного дефектообразования в сильном электрическом поле и вне его существенно различны. Облучение в поле приводит к уменьшению эффективности введения дефектов с уровнями ${E_{v}+0.18}$, ${E_{v}+0.21}$ эВ, а дефекты с уровнем ${E_{v}+0.13}$ эВ, которые относятся к вакансии, практически не наблюдаются. Предполагается, что в сильном электрическом поле при облучении отжиг вакансий обусловлен изменением зарядовых состояний ${V^{0}\to V^{2-}}$ за счет захвата электронов, генерированных в ионизационных процессах.