Влияние ростовых дислокаций на время жизни электронов в $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te

Исследовано влияние ростовых дислокаций как стоков неравновесных носителей заряда (ННЗ) на процессы рекомбинации в кристаллах $n$-Cd$_{x}$Hg$_{1-x}$Te (${x\sim0.20\div0.22}$) с плотностью дислокаций ${N_{D}= 4\cdot10^{4}{-}2\cdot10^{6}}$ см$^{-2}$. Установлено, что ростовые дислокации ограничивают время жизни электронов при плотности ${N_{D}\gtrsim10^{6}}$ см$^{-2}$. Рассмотренная модель диффузии ННЗ к цилиндрическим включениям в отличие от традиционной модели дислокации с заданным сечением захвата ННЗ позволила оценить радиус дислокации как рекомбинационного стока и скорость рекомбинации на границе «включение$-$матрица». Установлено, что радиус области обеднения ННЗ вокруг дислокации ниже диффузионной длины неосновных носителей заряда и зависит от радиуса дислокации.