Аннотация:
Работа посвящена физике переходных токов, ограниченных
объемным зарядом в полупроводниках. Рассмотрена динамика концентрации
в процессе движения пакета инжектированных в $p{-}n$-переход неравновесных
носителей. Показано, что для основных носителей процесс идет в направлении
уравнивания концентрации носителей в пакете с плотностью объемного заряда в
$p{-}n$-переходе. Для случая дрейфа однородного по концентрации пакета
получено аналитическое описание процесса. Отмечена прямая аналогия
с используемым в технологии дрейфом ионов лития в кремнии
и германии для получения компенсированного $i$-материала.