RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1986, том 20, выпуск 10, страницы 1856–1860 (Mi phts424)

Процесс установления концентрации в дрейфующем пакете неравновесных носителей, инжектированных в $p{-}n$-переход

В. М. Андреев, В. К. Еремин, С. А. Ломашевич, Н. Б. Строкан


Аннотация: Работа посвящена физике переходных токов, ограниченных объемным зарядом в полупроводниках. Рассмотрена динамика концентрации в процессе движения пакета инжектированных в $p{-}n$-переход неравновесных носителей. Показано, что для основных носителей процесс идет в направлении уравнивания концентрации носителей в пакете с плотностью объемного заряда в $p{-}n$-переходе. Для случая дрейфа однородного по концентрации пакета получено аналитическое описание процесса. Отмечена прямая аналогия с используемым в технологии дрейфом ионов лития в кремнии и германии для получения компенсированного $i$-материала.



© МИАН, 2024