Влияние терморадиационной обработки на процесс образования дефектных центров в кремнии при электронном облучении

Методом DLTS исследовано влияние температуры облучения на накопление и отжиг радиационных комплексов в диодах из $n$-Si при воздействии электронами с энергией 4 МэВ.
В области повышенных температур облучения обнаружены дополнительные радиационные дефектные центры с ${E_{c}-0.13}$ и ${E_{c}-0.2}$ эВ. Показано, что эффективность формирования указанных дефектных центров при высокотемпературном облучении в несколько раз выше по сравнению с диодами, облученными при комнатной температуре и отожженными при температурах облучения.
Установлена взаимосвязь формировавшегося дефектного центра ${E_{c}-0.13}$ эВ с распадом $A$-центра. Показано, что центр с уровнем ${E_{c}-0.2}$ эВ является сложным комплексом и проявляет высокую термическую стабильность.
Обсуждаются квазихимические реакции, ответственные за формирование указанных дефектных центров при терморадиационной обработке.