Измерение эффективного времени жизни носителей заряда в полупроводниках

Теоретически и экспериментально исследовано влияние на эффективное время жизни носителей процессов рекомбинации, носителей на непланарной поверхности кремниевых подложек и диффузионного расплывания, носителей из освещенной области полупроводника в область тени, а также соотношения размеров возбуждающего и зондирующего пучков в методе оптической модуляции ИК поглощения. Исследованы границы применимости, оптимальные условия реализации метода, приведена оценка методической погрешности измерения эффективного времени жизни.