Влияние условий облучения на процессы дефектообразования в $n$-GaAs

С помощью измерений емкостной спектроскопии в слоях $n$-GaAs с ${n^{}_{0}=3\cdot10^{14}{-}2\cdot10^{16}}$ см$^{-3}$, облученных электронами с ${E=0.9}$ МэВ при температуре ${\Theta=20^{\circ}}$C, наблюдались известные электронные ловушки Е1$-$Е5 и Е8, а в слое с ${n^{}_{0}=2\cdot10^{17}}$ см$^{-3}$ — дополнительно ловушка $ E3_{\beta}$. Установлено, что эффективности введения указанных ловушек практически не меняются при изменении интенсивности пучка электронов (${I=6\cdot10^{11}{-}3\cdot10^{13}}$ см$^{-2}\cdot\text{c}^{-1}$).
Для слоев с ${n^{}_{0}\approx(1\div3)\cdot10^{15}}$ см$^{-3}$ проанализировано влияние температуры облучения ($\Theta$) на процессы дефектообразования в GaAs. Установлено, что при $\Theta\approx300^{\circ}$C из-за термического отжига в процессе облучения эффективность введения ловушек $E$ резко уменьшается и основной вклад в изменение свойств материала вносят ловушки $X$. Впервые показано, что при дальнейшем повышении $\Theta$ вплоть до $550^{\circ}$C спектр вводимых электронных ловушек практически не меняется и включает в себя два основных центра — X1 и X2 с ${E_{a}=0.38}$ и ${E_{a}=0.76}$ эВ соответственно. Проанализирована кинетика накопления этих центров при ${\Theta=400^{\circ}}$C, определены их основные параметры.
Показано, что результаты облучения при ${\Theta=300^{\circ}}$C и отжига до этой температуры после облучения при ${\Theta=20^{\circ}}$C почти эквивалентны.