Фаза осцилляций магнитокинетических коэффициентов вырожденных двумерных электронов

Проанализированы квантовые осцилляции Шубникова–де-Гааза селективно легированных гетероструктур с $2D$-электронами Al$_{x}$Ga$_{1-x}$As/GaAs с концентрациями носителей тока от $3.46\cdot 10^{11}$ до $15.2\cdot 10^{11}$ см$^{-2}$ (всего более 20 структур) в диапазоне магнитных полей до 8 Т и гелиевых температурах. Установлено, что имеется две группы структур, одни с начальной фазой осцилляций $0.3\pi$ и другие — $0.5\pi$, что близко к теоретической величине $0.25\pi$ для объемных и $0.5\pi$ для двумерных электронов.
Установлено, что, как и в случае объемных полупроводников, осцилляции ЭДС ФМЭ опережают по фазе осцилляции поперечного магнитосопротивления.