RUS  ENG
Полная версия
ЖУРНАЛЫ // Физика и техника полупроводников // Архив

Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 4, страницы 644–654 (Mi phts4267)

Фрактально-диффузионные $p{-}n$-переходы в кремнии

Н. Т. Баграев, Л. Е. Клячкин, А. М. Маляренко, В. Л. Суханов


Аннотация: Исследованы процессы легирования кремния бором в условиях kick-out и диссоциативного вакансионного механизмов диффузии. Путем варьирования характеристик поверхности был установлен критерий доминирования одного или другого диффузионных механизмов, благодаря чему были обнаружены условия их паритета, при которых наблюдается торможение диффузии. Это позволило реализовать квантово-размерные $p{-}n$-переходы фрактального типа, обладающие высокой внешней квантовой эффективностью в широком спектральном диапазоне и низкими темновыми токами утечки.



© МИАН, 2024