Теория «моттовского» плато на вольт-фарадной характеристике диода Шоттки с гетеропереходом

Теоретически рассмотрено распределение потенциала в структуре типа полевого транзистора Шоттки, у которого область, прилегающая к затвору, образована широкозонным полупроводником. Когда эта область истощается за счет подачи внешнего смещения, то емкость структуры остается постоянной (моттовское плато). Дается детальная теория режима перехода к истощению и показано, что истощение происходит весьма медленно с ростом запирающего смещения.