В. В. Артамонов, Ю. Ю. Бачериков, Е. Г. Лашкевич, Б. Д. Нечипорук, Ю. Г. Садофьев, “Механические напряжения в гетероэпитаксиальном GaAs, выращенном на Si-подложке”, Физика и техника полупроводников, 1991, том 25, выпуск 4,страницы 670

Механические напряжения в гетероэпитаксиальном GaAs, выращенном на Si-подложке

В. В. Артамонов, Ю. Ю. Бачериков, Е. Г. Лашкевич, Б. Д. Нечипорук, Ю. Г. Садофьев

Аннотация: Исследованы фотолюминесценция и комбинационное рассеяние света в напряженных пленках GaAs, выращенных на кремниевых подложках методом молекулярно-лучевой эпитаксии.