Исследование рекомбинационно-ускоренного отжига радиационных дефектов в кремнии

Методом нестационарной емкостной спектроскопии глубоких уровней исследованы образцы кремния $p$-типа проводимости, облученные $\alpha$-частицами. Облучение проводилось в интервале температур $77{-}350$ K. Обнаружены дефект $E2=E_{c}-(0.39\pm 0.02)$ эВ, а при оптическом возбуждении — дефект $E3=E_{c}-(0.25\pm 0.05)$ эВ. Дефекты $E2$ и $E3$ — междоузельного типа, подвержены интенсивному инжекционному отжигу, скорость отжига слабо менялась в интервале температур $77{-}300$ K. Поведение дефектов $E2$ и $E3$ в зависимости от условий облучения и отжига позволяет предположить, что они являются соответственно двух- и однозарядными состояниями собственного междоузельного атома. Исследование процесса отжига междоузельных атомов углерода C$_{i}$ и их перехода в $K$-центр показывает, что процесс идет с образованием метастабильного состояния, которое, так же как и центр C$_{i}$, подвержено инжекционному отжигу.