Резистивно-емкостные МДП структуры с сильной зарядовой связью по обогащенному слою

Экспериментально исследована сильная зарядовая связь по обогащенному основными носителями слою на границе раздела Si$-$SiO$_{2}$.
На основе экспериментальных данных показано, что обогащенный слой отделен от нейтрального объема полупроводника $p$-типа потенциальным барьером (областью обеднения).
Поверхностная подвижность носителей заряда в таком слое при температурах $200{-}300$ К ограничена рассеянием на поверхностных фононах.