Экспериментальное наблюдение дырок в $n$-GaAs, высвободившихся в результате оже-распада локализованных состояний

В $n$-GaAs исследована медленная (микросекундная) компонента кинетики фотолюминесценции линии, отвечающей рекомбинации электрона на мелком доноре и дырки валентной зоны $D^{\circ}$, $h$. Показано, что кинетика обусловлена выбросом дырок в валентную зону из локализованных состояний. Выброс осуществляется в результате оже-рекомбинации с участием двух дырок, захваченных на глубокий центр.